詳細(xì)目錄：


第一篇 緒論
第一章 碳化硅的發(fā)展史
第二章 碳化硅的工業(yè)用途
第三章 國(guó)內(nèi)外碳化硅的工業(yè)生產(chǎn)情況
第四章 國(guó)內(nèi)外碳化硅材料研究的現(xiàn)狀

第二篇 碳化硅的合成理論
第一章 碳化硅化學(xué)物理性質(zhì)
第二章 碳化硅合成的物理化學(xué)原理
第三章 碳化硅制造方法與工藝
第四章 碳化硅生產(chǎn)設(shè)備及用料

第三篇 仿生啞鈴形碳化硅晶須的制備
第一章 仿生啞鈴形碳化硅晶須的制備方法與性質(zhì)
第二章 仿生啞鈴形碳化硅晶須的制備
第三章 仿生啞鈴形碳化硅晶須形貌觀察和表征
第四章 仿生啞鈴形碳化硅晶須的微觀結(jié)構(gòu)

第四篇 碳化硅制備
第一章 概述
第二章 固—液—氣相法合成碳化硅
第三章 空心碳化硅粉體的制備及其形成機(jī)制
第四章 LICVD法制備廉價(jià)納米碳化硅粉體
第五章 激光誘導(dǎo)HMDS，DEODMS制備納米碳化硅粉體
第六章 激光誘導(dǎo)SIH4制備納米碳化硅粉體物理化學(xué)過(guò)程
第七章 熱化學(xué)氣相反應(yīng)法制備碳化硅超細(xì)粉末
第八章 多爐芯法和無(wú)爐芯法合成碳化硅
第九章 射頻測(cè)射法制備碳化硅

第五篇 碳化硅薄膜
第一章 LB膜以及含納米粒子的LB膜的制備
第二章 3C—SIC膜的制備與表征
第三章 單晶硅襯底上4H—SIC晶態(tài)膜的制備
第四章 光學(xué)碳化硅薄膜的制備
第五章 碳化硅納米薄膜和碳化硅納米線的制備
第六章 電力電子材料碳化硅晶體薄膜材料的制備
第七章 碳化硅薄膜材料及其在高溫傳感器件中的應(yīng)用

第六篇 碳化硅應(yīng)用
第一章 碳化硅磨料工藝學(xué)
第二章 碳化硅耐火材料
第三章 碳化硅(6H-SIC)器件
第四章 反應(yīng)燒結(jié)碳化硅質(zhì)反射鏡制備技術(shù)
第五章 碳化硅陶瓷的膠態(tài)成型
第六章 碳化硅網(wǎng)眼多孔陶瓷的制備
第七章 碳化硅復(fù)相陶瓷的摩擦磨損行為與機(jī)理
第八章 碳化硅合成金剛石

第七篇 樣品中微量元素測(cè)定的預(yù)處理應(yīng)用及碳化硅標(biāo)樣制備不確定度
第一章 C1、C2碳化硅標(biāo)準(zhǔn)樣品制備
第二章 碳化硅樣品中碳化硅不確定度評(píng)定

第八篇 碳化硅含量的測(cè)定
第一章 碳化硅—氧化鋁含量的測(cè)定
第二章 碳化硅—游離硅含量的測(cè)定
第四章 碳化硅—二氧化硅含量的測(cè)定
第五章 碳化硅—碳化硅含量的測(cè)定
第六章 碳化硅—總硅含量的測(cè)定
第七章 碳化硅—五氧化二磷含量的測(cè)定
第八章 碳化硅一氧化錳含量的測(cè)定
第九章 碳化硅—三氧化二鐵含量的測(cè)定
第十章 碳化硅—氧化鈉、氧化鉀含量的測(cè)定
第十一章 碳化硅一游離硅、總硅、碳化硅含量的測(cè)定

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