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本書是《中國材料工程大典》中的卷目之一。
信息功能材料是信息科學技術(shù)和信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)和先導。21世紀將是以信息產(chǎn)業(yè)為核心的知識經(jīng)濟時代，對信息技術(shù)和信息資源的競爭將更加激烈。我國電子信息行業(yè)2004年完成產(chǎn)品銷售收入達26500億元，多年來已居外貿(mào)出口首位，并繼續(xù)以高出工業(yè)發(fā)展速度10％的速度發(fā)展，已成為世界信息產(chǎn)業(yè)大國。加快由信息產(chǎn)業(yè)大國向信息產(chǎn)業(yè)強國邁進的步伐，是我們廣大從事信息技術(shù)，特別是信息功能材料工作者義不容辭的責任。希望《中國材料工程大典》中《信息功能材料工程》卷的出版，將有力推動我國信息技術(shù)和信息產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。
《信息功能材料工程》分上、中、下卷，共設(shè)20篇，約600萬字。它涉及到信息的獲取、傳輸、存儲、顯示和處理等主要技術(shù)用的材料與器件，是目前我國該領(lǐng)域比較完整的專業(yè)工具書。參加這部書編寫的有中科院、高校和部分企業(yè)的專家教授近200名。參加編寫的主要單位有中科院半導體研究所、中科院物理研究所、中科院微電子研究所、中科院上海精密光學機械研究所、中科院上海紅外技術(shù)物理研究所、中科院長春應(yīng)用化學研究所、中科院合肥固體物理所、南京大學、清華大學、西安理工大學、北京有色金屬研究總院、武漢郵電科學研究院等。歷時近3年完稿。由王占國、陳立泉、屠海令任主編并統(tǒng)稿。
本卷各篇不僅全面系統(tǒng)地反映了國外信息功能材料研究領(lǐng)域的現(xiàn)狀、最新進展和發(fā)展趨勢，而且也特別注重我國在該領(lǐng)域的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面取得的成果，力圖使其具有實用性、先進性和權(quán)威性。本書適合于從事信息功能材料的科研工作者和工程技術(shù)人員查閱使用，也可供有關(guān)師生參考。
第1篇 概論 主編：王占國院士
1.信息功能材料在信息技術(shù)中的戰(zhàn)略地位 2.信息功能材料的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢
第2篇半導體硅材料 主編：楊德仁教授
1.緒論 2.硅單晶的制備 3.硅晶體的機械性質(zhì) 4.硅晶體表面性質(zhì) 5.硅晶體的腐蝕 6.硅晶片加工工藝 7.硅單晶的缺陷 8.硅單晶中輕元素雜質(zhì) 9.硅單晶中的過渡族金屬雜質(zhì)和吸雜 10.其它硅材料 11.硅材料的發(fā)光
第3篇 集成電路制造技術(shù) 主編：吳德馨院士 劉明研究員
1.集成電路設(shè)計技術(shù) 2.微細加工技術(shù) 3.集成電路工藝技術(shù) 4. CMOS器件及電路制造技術(shù) 5.雙極型器件及電路制造技術(shù) 6.半導體功率器件及電路 7.化合物半導體器件和電路 8.集成電路封裝技術(shù)
第4篇 硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料和器件 主編：余金中研究員
1.概論 2. SiGe的晶體結(jié)構(gòu) 3. SiGe的能帶結(jié)構(gòu) 4. SiGe的力學性質(zhì)、熱學性質(zhì)和Raman光譜5. SiGe的電學性質(zhì)和磁學性質(zhì) 6. SiGe的光學性質(zhì) 7. SiGe（001）的原子再構(gòu)和表面性質(zhì) 8. SiGeC/Si異質(zhì)結(jié) 9.硅基Ⅲ—Ⅴ族半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu) 10. SOI材料和器件 11.硅基二氧化硅材料 12. Si基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長 13. Si基異質(zhì)結(jié)構(gòu)電子器件 14.硅基光電子器件
第5篇 化合物半導體材料 主編：屠海令教授 趙有文研究員
1. CaAs和InP的結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 2. GaAs和InP的制備 3. GaAs和InP中的雜質(zhì)和缺陷 4. GaAs和InP測試表征 5. GaAs和InP的應(yīng)用 6.其他常見化合物半導體材料
第6篇 寬帶隙半導體及其應(yīng)用 主編：鄭有 院士
1.導論 2. Ⅲ族氮化物半導體材料 3. Ⅲ族氮化物半導體基本物理性質(zhì) 4. Ⅲ族氮化物半導體器件應(yīng)用 5.氧化鋅（ZnO）半導體 6.碳化硅半導體 7.金剛石半導體 8. Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體 9.寬禁帶稀釋磁性半導體材料
第7篇 半導體低維結(jié)構(gòu)和量子器件 主編：陳涌海研究員 葉小玲教授 王占國院士
1.緒論 2.半導體低維結(jié)構(gòu)物理 3.半導體低維結(jié)構(gòu)材料制備技術(shù) 4.半導體低維結(jié)構(gòu)材料的評價技術(shù) 5.半導體高頻、高速微電子器件及應(yīng)用 6.半導體量子阱激光器 7.新型半導體量子器件
第8篇 存儲材料 主編：顧冬紅研究員 吳誼群研究員
1.概論 2.可錄光盤存儲材料 3.相變光存儲材料 4.光學全息存儲材料 5.近場光存儲材料 6.電子俘獲光存儲材料 7.光子選通光存儲材料 8.雙光子吸收光存儲材料 9.多波長多階光存儲材料 10.磁性存儲材料 11.磁頭材料 12.磁光光盤存儲材料 13.光磁混合存儲及其材料 14.非易失性存儲材料
第9篇 顯示材料 主編：邱 勇教授 應(yīng)根裕教授
1.熒光粉顯示技術(shù) 2.液晶材料和液晶顯示技術(shù) 3.有機電致發(fā)光顯示器件和材料 4.無機電致發(fā)光和電子紙顯示技術(shù)
第10篇 通信光纖材料及其工藝 主編：趙梓森院士
1.概論 2.通信光纖的傳輸理論和設(shè)計 3.光纖原材料 4.預制棒的各種制作工藝及其設(shè)備 5.光纖拉制工藝與設(shè)備 6.套塑成攬工藝及其設(shè)備 7.光纖的特性、標準及其測試方法 8.光纖的接續(xù) 9.特種光纖 10.展望
第11篇 全固態(tài)激光器及相關(guān)材料 主編：許祖彥院士 沈德忠院士
1.概論 2.激光光纖的材料及其制備 3.激光晶體材料及其制備 4.大功率半導體激光器的發(fā)展與應(yīng)用 5.非線性光學晶體及其制備
第12篇 稀土磁性材料與自旋電子材料 主編：劉治國教授
1.稀土永磁材料 2.磁制冷與磁蓄冷材料 3.稀土巨磁致伸縮材料 4.磁光存儲材料 5.巨磁電阻材料 6.龐磁電阻材料 7.稀釋磁性半導體材料
第13篇 超導材料 主編：陳立泉院士 蘄常青教授
1.概論 2.合金和金屬化合物超導材料 3.高溫超導材料 4.有機和其它類型超導體 5.高溫超導薄膜
第14篇 傳感器材料 主編：陳治明教授 雷天民教授
1.傳感器材料概述 2.光電導材料 3.力敏傳感器材料 4.熱敏材料與溫度傳感器材料 5.磁敏感材料 6.氣敏和濕敏材料 7.傳感器材料的制備 8.敏感材料的表征
第15篇 紅外材料 主編：儲君浩教授
1.窄禁帶半導體材料 2.半導體低維結(jié)構(gòu)紅外材料 3.熱敏紅外材料 4.紅外光學材料
第16篇 先進儲能材料 主編：陳立泉院士
1.概論 2.金屬氫化物和金屬氫化物-鎳二次電池 3.儲鋰材料和鋰離子電池 4.高密度化學儲氫材料
第17篇 一維納米材料和納米結(jié)構(gòu) 主編：張立德教授 解思深院士
1.碳納米管的制備、表征和性能 2.納米線和納米帶的制備、表征 3.納米結(jié)構(gòu)和納米陣列的制備、表征
第18篇 發(fā)光材料 主編：石春山研究員
1.概述 2.發(fā)光材料的合成 3.發(fā)光材料性能的表征 4.主要發(fā)光材料及其應(yīng)用 5.發(fā)光材料研究與應(yīng)用的前景展望
第19篇 微加工技術(shù) 主編：馮稷教授
1.概論 2.微納米加工中的光刻技術(shù) 3.微納米加工中的圖形轉(zhuǎn)移技術(shù) 4.微納米加工中的圖形復制技術(shù)
第20篇 光子晶體 主編：張道中教授
1.光子晶體及其特性 2.光子晶體的構(gòu)成方法 3.光子晶體的應(yīng)用

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